东微半导体申请氮化镓器件专利，提高器件可靠性

国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“一种氮化镓器件”的专利，公开号CN122028459A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种氮化镓器件，包括：基底层；位于所述基底层表面的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层表面的势垒层；分别位于所述势垒层两端的源极金属和漏极金属；位于所述势垒层之上且位于所述源极金属和所述漏极金属之间的P-GaN区，所述P-GaN区由至少两层P-GaN层堆叠组成，相邻的所述P-GaN层之间设有第一刻蚀阻挡层，相邻的所述P-GaN层在靠近所述漏极金属的一侧呈台阶状；位于所述P-GaN区的最顶层P-GaN层之上高阻层；位于所述高阻层之上的栅极金属。

天眼查资料显示，苏州东微半导体股份有限公司，成立于2008年，位于苏州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本12257.4975万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息153条，此外企业还拥有行政许可9个。

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来源：市场资讯