九峰山实验室攻克8英寸ALD钼工艺

近日，九峰山实验室化合物半导体中试工艺平台携手国内本土原子层沉积（ALD）设备企业开展联合技术攻关，顺利完成ALD金属钼工艺重大技术突破，此次技术成果落地也填补了国内相关工艺在8英寸量产平台应用领域的空白。

此次研发攻关过程中，研发团队选用稳定性强、使用效率更高的二氯二氧化钼作为工艺前驱体，在四百摄氏度工艺温度条件下，成功制备出性能指标优异的金属钼薄膜，整套工艺方案运行稳定，薄膜成膜质量、均匀性以及各项关键参数均达到行业先进水准，这也是国内行业内首次依托8英寸半导体工艺平台顺利完成该套ALD钼工艺的完整开发与验证工作。

原子层沉积设备是半导体先进制造、化合物半导体器件生产环节不可或缺的核心装备，金属钼薄膜凭借优良的导电性能与贴合度，广泛应用于第三代、第四代半导体功率器件、射频芯片以及先进封装互联层等核心场景，是提升器件耐压能力、降低导通损耗、优化整体电学性能的关键功能性薄膜材料。长久以来，高端ALD配套金属薄膜工艺长期被海外技术垄断，本土设备厂商在高端工艺适配与量产化应用层面始终存在诸多壁垒。

九峰山实验室依托完善的化合物半导体中试研发载体，持续联动本土设备企业推进工艺自研与技术适配，本次8英寸ALD钼工艺顺利突破，不仅充分验证了国产ALD设备在高端精密薄膜沉积领域的技术实力与适配能力，也标志着国内化合物半导体产业链在设备端与工艺端协同发展迈出重要一步。

（文/集邦化合物半导体整理）

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